GB/T 6617-2009
现行
标准号 GB/T 6617-2009
标准名称 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
英文名称 Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
发布日期 2009-10-30
实施日期 2010-06-01
标准状态 现行
归口单位 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管单位 国家标准委
标准类别 方法
国际标准分类号 29.045
中国标准分类号 H80
起草单位 南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司
起草人 马林宝 、骆红 、刘培东 、谭卫东 、吕立平
标准简介
GB/T 6617-2009《硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》标准规定了硅片电阻率测定 扩展电阻探针法必须具备的国家强制标准，2010-06-01开始实施，起草单位为：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司。
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