GB/T 24574-2009
现行
标准号 GB/T 24574-2009
标准名称 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
英文名称 Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
发布日期 2009-10-30
实施日期 2010-06-01
标准状态 现行
归口单位 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管单位 国家标准委
标准类别 方法
国际标准分类号 29.045
中国标准分类号 H80
起草单位 信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
起草人 李静 、何秀坤 、蔺娴
标准简介
GB/T 24574-2009《硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法》标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法必须具备的国家强制标准，2010-06-01开始实施，起草单位为：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
相关标准
本标准相关标准：
-
SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 GB/T 24581-2022 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法 SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法 SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法 SN/T 2403-2009 玩具中芳香族伯胺的测定 DB34/T 4268-2022 发酵茶中B族和G族黄曲霉毒素的测定 SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
被引用情况
| 标准号 | 标准名称 | 标准状态 | 实施日期 |
|---|---|---|---|
| GB/T 24573-2009 | 金库和档案室门耐火性能试验方法 | 现行 | 2010-04-01 |
| GB/T 24547-2009 | 轻便摩托车重心位置的测量方法 | 现行 | 2010-07-01 |
| GB/T 24546-2009 | 摩托车重心位置的测量方法 | 现行 | 2010-07-01 |
| GB/T 24575-2009 | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2010-06-01 |
| GB/T 24576-2009 | 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 | 现行 | 2010-06-01 |
| GB/T 24577-2009 | 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物 | 现行 | 2010-06-01 |
用户评价
暂无用户评价。您可以发表对本标准的看法：
专家解读