SJ/T 11586-2016
现行
标准简介及适用范围
SJ/T 11586-2016《半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法》标准规定了半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法必须具备的国家强制标准，2016-06-01开始实施，起草单位为：工业和信息化部电子第五研究所。
被引用情况
| 标准号 | 标准名称 | 标准状态 | 实施日期 |
|---|---|---|---|
| SJ/T 11588-2016 | BDS/GPS射频与基带一体化模块性能要求与测试方法 | 现行 | 2016-06-01 |
| SJ/T 11462.3-2016 | 电子设备用编码器 第3部分：分规范化 绝对型旋转编码器 | 现行 | 2016-06-01 |
| SJ/T 11462.2-2016 | 电子设备用编码器 第2部分：分规范 增量型旋转编码器 | 现行 | 2016-06-01 |
| SJ/T 2318-2016 | 扬声器用铝镍钴系永磁体 | 现行 | 2016-06-01 |
| SJ/T 99-2016 | 变压器和扼流圈用铁心片及铁心叠厚系列 | 现行 | 2016-06-01 |
| SJ/T 31001-2016 | 设备完好要求和检查评定方法编写导则 | 现行 | 2016-06-01 |
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