GB/T 21039.1-2007
现行
标准号 GB/T 21039.1-2007
标准名称 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
英文名称 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification
发布日期 2007-06-29
实施日期 2007-11-01
标准状态 现行
归口单位 全国半导体器件标准化技术委员会
主管单位 工业和信息化部(电子)
标准类别 产品
国际标准分类号 31.080.30
中国标准分类号 L41
起草单位 中国电子技术标准化研究所
起草人 罗发明 、刘春勋
在线查看 下载标准

标准简介

GB/T 21039.1-2007《半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范》标准规定了半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范必须具备的国家强制标准,2007-11-01开始实施,起草单位为:中国电子技术标准化研究所。

相关标准

本标准相关标准:

    GB/T 4023.4-2026  半导体分立器件 第4部分:微波二极管和晶体管 SJ/T 9014.8.2-2018  半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 GB/T 6219-1998  半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 GB/T 20516-2006  半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件 20242947-T-339  半导体分立器件 第8部分: 场效应晶体管 GB/T 4586-1994  半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 7576-1998  半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 GB/T 6588-2000  半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 GB/T 6352-1998  半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 GB/T 6590-1998  半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

用户评价

暂无用户评价。您可以发表对本标准的看法:

专家解读