GB/T 6219-1998
现行
标准号 GB/T 6219-1998
标准名称 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
英文名称 Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
发布日期 1998-11-17
实施日期 1999-06-01
标准状态 现行
归口单位 全国半导体器件标准化技术委员会
主管单位 工业和信息化部（电子）
标准类别 产品
国际标准分类号 31.080.30
中国标准分类号 L42
起草单位 电子工业部标准化研究所
起草人
标准简介
GB/T 6219-1998《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范》标准规定了半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范必须具备的国家强制标准，1999-06-01开始实施，起草单位为：电子工业部标准化研究所。
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被引用情况
| 标准号 | 标准名称 | 标准状态 | 实施日期 |
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