GB/T 11297.7-1989
现行
标准号 GB/T 11297.7-1989
标准名称 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
英文名称 Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals
发布日期 1989-03-31
实施日期 1990-01-01
标准状态 现行
归口单位 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管单位 国家标准委
标准类别 方法
国际标准分类号
中国标准分类号 L32
起草单位 航空航天部8358研究所
起草人
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标准简介

GB/T 11297.7-1989《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》标准规定了锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法必须具备的国家强制标准,1990-01-01开始实施,起草单位为:航空航天部8358研究所。

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