GB/T 25188-2010
现行
标准号 GB/T 25188-2010
标准名称 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
英文名称 Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
发布日期 2010-09-26
实施日期 2011-08-01
标准状态 现行
归口单位 全国表面化学分析标准化技术委员会
主管单位 中国科学院
标准类别 方法
国际标准分类号 71.040.40
中国标准分类号 G04
起草单位 中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院
起草人 刘芬 、王海 、赵良仲 、宋小平 、赵志娟 、邱丽美
标准简介
GB/T 25188-2010《硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法》标准规定了硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法必须具备的国家强制标准，2011-08-01开始实施，起草单位为：中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院。
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