GB/T 14141-2009
现行
标准号 GB/T 14141-2009
标准名称 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
英文名称 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
发布日期 2009-10-30
实施日期 2010-06-01
标准状态 现行
归口单位 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管单位 国家标准委
标准类别 方法
国际标准分类号 29.045
中国标准分类号 H80
起草单位 宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
起草人 李慎重 、许峰 、刘培东 、谌攀 、马林宝 、何秀坤
标准简介
GB/T 14141-2009《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》标准规定了硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法必须具备的国家强制标准，2010-06-01开始实施，起草单位为：宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。
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